Geïsoleerde poort bipolaire transistor IGBT-krachtmodule halfgeleiderapparaat voor omvormer

IGBT-module (geïsoleerde poort bipolaire transistormodule)is een vermogensemiconductor-apparaatmodule die meerdere IGBT-chips, vrije dioden (FWD's) en bijbehorende aandrijvings-/beschermingscircuits integreert.Het wordt op grote schaal toegepast in power electronics omzetting en besturingssystemen.

• IGBT-chips: De kern van de module, die de hoge ingangsimpedantie van MOSFET's en de lage spanningsdaling van bipolaire transistors combineert, waardoor snelle schakeling en lage verliezen mogelijk zijn.
• met een vermogen van niet meer dan 50 W: Anti-parallel verbonden met IGBT's om energie vrij te geven die is opgeslagen in inductieve belastingen, waardoor spanningspieken worden voorkomen die apparaten beschadigen.
• Bestuur- en beschermingscircuits: Geïntegreerd met functies zoals signaalisolatie, overstromings-/overspanningsbescherming en temperatuurbewaking om een stabiele werking van de module te garanderen.
• Verpakkingstechnologie: Gebruik maakt van keramische ondergronden, koperen basplaten, enz., waardoor de thermische prestaties worden geoptimaliseerd (thermische weerstand tot 0,1-0,2 K/W) en de elektrische isolatie wordt verbeterd.

• Hoog vermogen: Modulair ontwerp verhoogt de vermogensactiviteit per volume-eenheid aanzienlijk.
• Hoge betrouwbaarheidDoor middel van redundant ontwerp, zelfdiagnoses en thermische beheertechnologieën bereiken modules een gemiddelde tijd tussen storingen (MTBF) van meer dan 100,000 uur in industriële toepassingen zoals variabele frequentiedruksystemen.
• Gemakkelijk te gebruiken: Ingebouwde aandrijflijnen vereenvoudigen het systeemontwerp en stellen gebruikers in staat snel toepassingen te implementeren door alleen besturingssignalen en stroom te leveren.

• Industriële aandrijvingen: wordt gebruikt bij motorversnellingsregelingen, ventilator/pompregeling.
• Vernieuwbare energieopwekking: In fotovoltaïsche omvormers zetten IGBT-modules DC in wisselstroom om voor netintegratie.